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某型N 沟道MOSFET 场效应晶体管设计
飞 陈
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贵州航天控制技术有限公司,
贵州航天控制技术有限公司
ERA 2024 , 2(4), 49–52;
Published: 20 April 2024
© 2024 by the Author(s). Licensee Art and Design, USA. This article is an open access article distributed under the terms and conditions of the Creative Commons Attribution -Noncommercial 4.0 International License (CC BY-NC 4.0) ( https://creativecommons.org/licenses/by-nc/4.0/ )
Abstract
集成电路在各行各业发挥着重要作用，近几年随着集成电路的快速发展，电路、芯片的精密可靠及低功耗的需求日益提升，对新型功率半导体器件的功率密度和可靠性的要求越来越高。本文设计某型N 沟道MOSFET 场效应晶体管，采用沟槽工艺设计，将栅极埋入基体中，形成垂直的沟槽，栅极小，寄生电容小，为N 沟道增强型MOSFET，与同电压等级的普通沟槽栅MOSFET 相比，导通电阻要低得多，因此在功率密度上占有很大的优势。该系列MOS 管具备快速开关、低导通电阻、大导通电流和高工作结温的特点。
Keywords
寄生电容
MOSFET
电学特性
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